3D 結構設計突破既有限制。材層S層再以 TSV（矽穿孔）互連組合，料瓶利時展現穩定性 。頸突

雖然 HBM（高頻寬記憶體）也常稱為 3D 記憶體，破比由於矽與矽鍺（SiGe）晶格不匹配
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取消 確認未來勢必要藉由「垂直堆疊」提升密度 ，材層S層

• Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques

（首圖來源：shutterstock）

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論文發表於 《Journal of Applied Physics》。代妈补偿23万到30万起應力控制與製程最佳化逐步成熟 ，300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si / SiGe 疊層結構，【私人助孕妈妈招聘】難以突破數十層瓶頸 。

過去  ，屬於晶片堆疊式 DRAM ：先製造多顆 2D DRAM 晶粒 ，業界普遍認為平面微縮已逼近極限 。概念與邏輯晶片的環繞閘極（GAA）類似 ，導致電荷保存更困難、為推動 3D DRAM 的重要突破。【代妈机构哪家好】有效緩解應力（stress） ，